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Si3433CDV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
16
12
8
V GS = 5 thr u 2 V
V GS = 1.5 V
10
8
6
4
T C = 25 °C
4
V GS = 1 V
2
T C = 125 °C
0
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.10
0.0 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2500
2000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.06
V GS = 1.8 V
1500
C iss
V GS = 2.5 V
0.04
1000
0.02
V GS = 4.5 V
500
C oss
C rss
0.00
0
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
I D = 5.2 A
6
1.5
1.4
1.3
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 4.5 V ; 2.5 V ; I D = 5.2 A
V DS = 10 V
1.2
V DS = 16 V
4
2
0
1.1
1.0
0.9
0. 8
0.7
V GS = 1.8 V; I D = 2 A
0
5
10
15
20
25
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68803
S09-0387-Rev. B, 09-Mar-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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